IRFL4310TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт

Описание IRFL4310TRPBF The IRFL4310TRPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application. • Dynamic dV/dt rating • Ease of paralleling • Advanced process technology • Low static drain-to-source ON-resistance Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.6Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.2 ом при 1.6a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.1Крутизна характеристики, S1.5Корпусsot223Пороговое напряжение на затворе4Вес, г0.39

Транзистор полевой IRFL4310TRPBF

Описание товара:

Транзистор полевой N-канальный IRFL4310TRPBF - надежный электронный компонент для использования в различных устройствах, где требуется управление потоком электричества. Он имеет высокую рабочую напряжение до 100 В и способен выдерживать ток до 1.6 А, обладает мощностью 2.1 Вт.

Характеристики:

Напряжение: до 100 В

Ток: до 1.6 А

Мощность: 2.1 Вт

Этот транзистор идеально подходит для использования в устройствах, где необходимо управление потоком электричества с высокой эффективностью.