Описание IRFIB6N60APBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.75 ом при 3.3a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60Крутизна характеристики, S5.5Корпусto220fpПороговое напряжение на затворе4Вес, г2
Транзистор полевой IRFIB6N60APBF
Надежный и мощный транзистор для вашего проекта
IRFIB6N60APBF - это N-канальный полевой транзистор, способный работать на напряжении до 600В и токе до 5.5А. С мощностью до 60Вт, этот транзистор идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и цепях усиления.
Характеристики:
- Тип: N-канальный
- Напряжение: 600В
- Ток: 5.5А
- Мощность: 60Вт
Приобретите транзистор IRFIB6N60APBF и обеспечьте высокую производительность вашего устройства!
Характеристики | |
Вес брутто | 2.7 г. |
Входная емкость | 1400пФ |
Заряд затвора | 49нКл |
Мощность макс. | 60Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 600В |
Нормоупаковка | 50 шт |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Сопротивление открытого канала | 750 мОм |
Тип монтажа | Through Hole |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 5.5A |
Корпус | TO-220F |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 095c46c8
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFIB6N60APBF
-
рассчитывается индивидуально