IRFI9530GPBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 7.7A

Описание IRFI9530GPBF The IRFI9530GPBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing. • Isolated package • 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation • 4.8mm Sink to lead creepage distance • -55 to 175°C Operating temperature range • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-7.7Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.3 ом при-4.6a, -10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт42Крутизна характеристики, S3.4Корпусto220fpВес, г2

Транзистор полевой P-канальный IRFI9530GPBF

Надежный и эффективный транзистор для электронных устройств

Характеристики:

Напряжение: 100В

Ток: 7.7A

Тип: P-канальный

IRFI9530GPBF - отличный выбор для создания современных электронных устройств с надежной работой и высокой производительностью.