IRFI640GPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.8А 40Вт, 0.18 Ом

Описание IRFI640GPBF The IRFI640GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing. • Isolated package • 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation • 4.8mm Sink to lead creepage distance • Dynamic dV/dt rating • Low thermal resistance Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.9Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.4 ом при 3.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт35Крутизна характеристики, S3.2Корпусto220fpПороговое напряжение на затворе4Вес, г2

Полевой транзистор IRFI640GPBF

Мощный и надежный

Характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 200 В

Ток: 9.8 А

Мощность: 40 Вт

Сопротивление: 0.18 Ом

Этот транзистор предназначен для работы в различных электронных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность. Идеально подходит для построения силовых усилителей, стабилизаторов напряжения и других устройств.