Описание IRFI620GPBF
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
Maximum Operating Temperature+150 °CКоличество элементов на ИС1Transistor ConfigurationОдинарныйBrandVishayMaximum Continuous Drain Current4 АТип корпусаTO-220FPMaximum Power Dissipation30 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage2VMaximum Drain Source Resistance1 ?Максимальное напряжение сток-исток200 ВPin Count3Typical Gate Charge @ Vgs16 нКл при 10 ВTransistor MaterialКремнийChannel ModeПоднятиеТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-10 В, +10 ВВес, г2
Транзистор полевой IRFI620GPBF
Надежный элемент для электроники
Модель: IRFI620GPBF
Тип: N-канальный
Напряжение: 200 В
Ток: 4.1 A
Этот транзистор полевой является отличным выбором для различных электронных устройств. Он обеспечивает надежную работу и имеет высокую эффективность. IRFI620GPBF подходит для широкого спектра приложений, от устройств управления до силовой электроники.
| Характеристики | |
| Входная емкость | 260пФ |
| Заряд затвора | 14нКл |
| Мощность макс. | 30Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Нормоупаковка | 50 шт. |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 800 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 4.1A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 2c5de6b9
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFI620GPBF
-
рассчитывается индивидуально
