IRFD9120PBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 1А 1.3Вт, 0.6 Ом

Описание IRFD9120PBF The IRFD9120PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 175°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement • For automatic insertion • End stackable Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-1Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.6 ом при-0.6a, -10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3Крутизна характеристики, S0.71КорпусHVMDIPПороговое напряжение на затворе-2…-4Вес, г0.6

Транзистор IRFD9120PBF

Характеристики:

Тип:

Полевой транзистор P-канальный

Напряжение:

100 В

Ток:

1 А

Мощность:

1.3 Вт

Сопротивление:

0,6 Ом