IRFD9110PBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 700мА

Описание IRFD9110PBF The IRFD9110PBF is a -100V P-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 175°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement • For automatic insertion • End stackable Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-0.7Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.2 ом при-0.42a, -10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3Крутизна характеристики, S0.6КорпусHVMDIPПороговое напряжение на затворе-4Вес, г0.6

Транзистор полевой P-канальный IRFD9110PBF

Описание товара:

Транзистор IRFD9110PBF - это надежное и эффективное устройство для управления током в электронных схемах. Он обладает высокой надежностью и долгим сроком службы.

Характеристики:

• Тип: полевой P-канальный
• Напряжение: 100В
• Ток: 700мА

Транзистор IRFD9110PBF идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах, где требуется надежное управление током.