IRFD320PBF, Транзистор полевой N-канальный 400В 0.6А 1.3Вт, 1.8 Ом

Описание IRFD320PBF MOSFET N, HEXDIP Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 0.49A Resistance, Rds On 1.8ohm Case Style HEXDIP Current, Idm Pulse 3.9A Power, Pd 1W Voltage, Vds Max 400V Корпус DIP4, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 400 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.8 Ом Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В400Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.3Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.8 ом при 0.21a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1Крутизна характеристики, S2КорпусHVMDIPПороговое напряжение на затворе4Вес, г0.6

Транзистор полевой IRFD320PBF

Товар для электроники и робототехники

Характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 400 В

Ток: 0.6 А

Мощность: 1.3 Вт

Сопротивление канала: 1.8 Ом

Полевой транзистор IRFD320PBF отлично подойдет для создания электронных устройств, а также для реализации проектов в области робототехники. Надежный и качественный компонент для вашего творчества!