IRFD220PBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 0.8А 1.3Вт, 0.8 Ом

Описание IRFD220PBF The IRFD220PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W. • Dynamic dV/dt rating • For automatic insertion • End stackable • Repetitive avalanche rated • Ease of paralleling • Simple drive requirements Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.8Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.8 ом при 0.48a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1Крутизна характеристики, S1.1КорпусHVMDIPПороговое напряжение на затворе4Вес, г0.6

Транзистор полевой IRFD220PBF

Характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 200 В

Ток: 0.8 А

Мощность: 1.3 Вт

Сопротивление: 0.8 Ом

Описание:

Транзистор IRFD220PBF предназначен для использования в электронных устройствах, где требуется надежная работа при высоких напряжениях и токах. Идеально подходит для различных схем усилителей и блоков питания.