IRFD110PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 1.0А 1.3Вт, 0.54 Ом

Описание IRFD110PBF N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.54 ом при 0.6a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3Крутизна характеристики, S0.8КорпусHVMDIPПороговое напряжение на затворе4Вес, г0.6

Транзистор полевой IRFD110PBF

Характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 100В

Ток: 1.0А

Мощность: 1.3Вт

Сопротивление: 0.54 Ом

Описание:

Транзистор IRFD110PBF - надежный элемент для использования в электронике. Он обладает высокой мощностью, низким сопротивлением и хорошей электропроводимостью. Подходит для широкого спектра приложений.