IRFD024PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 2.5А 1.3Вт, 0.1 Ом

Описание IRFD024PBF The IRFD024PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 175°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement • For automatic insertion • End stackable Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.1 ом при 1.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3Крутизна характеристики, S0.9КорпусHVMDIPПороговое напряжение на затворе4Вес, г0.6

Транзистор IRFD024PBF

Полевой N-канальный транзистор для электроники

Характеристики:

Напряжение: 60 В

Ток: 2.5 А

Мощность: 1.3 Вт

Сопротивление: 0.1 Ом

Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах. Обеспечивает стабильную работу и высокую производительность.