IRFD014PBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 1.7А 1.3Вт, 0.2 Ом

Описание IRFD014PBF The IRFD014PBF is a 60V N-channel Power MOSFET, third generation HEXFET® power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is a machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1-inch pin centres. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1W. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 175°C Operating temperature • Easy to parallel • Simple drive requirement • For automatic insertion • End stackable Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.2 ом при 1a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3Крутизна характеристики, S0.96КорпусHVMDIPПороговое напряжение на затворе4Вес, г0.6

Транзистор IRFD014PBF - надежный элемент для вашего проекта

N-канальный полевой транзистор

Характеристики:

- Напряжение: 60В

- Ток: 1.7А

- Мощность: 1.3Вт

- Сопротивление: 0.2 Ом

Этот транзистор отлично подходит для использования в различных электронных устройствах и схемах. Устойчивый и эффективный, он поможет вашему проекту работать стабильно и без сбоев. Закажите IRFD014PBF сейчас и доверьтесь качеству!