Описание IRFBF30PBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В900Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.6Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.7 ом при 2.2a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125Крутизна характеристики, S2.3Корпусto220abПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5
Транзистор IRFBF30PBF
Описание товара:
Тип: Полевой транзистор
Параметры: N-канальный, 900 Вольт, 3.6 Ампер, 125 Вт, 3.7 Ом
Применение: Идеально подходит для устройств, где требуется высокая эффективность и стабильная работа при высоких напряжениях.
Не забудьте проверить совместимость данного транзистора с вашим устройством перед покупкой.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.78 г. |
| Входная емкость | 1200пФ |
| Заряд затвора | 78нКл |
| Мощность макс. | 125Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 900В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 3.7 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 3.6A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 79f050d5
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFBF30PBF
-
рассчитывается индивидуально
