IRFBE20PBF, Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8A

Описание IRFBE20PBF N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В800Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.8Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)6.5 ом при 1.1a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт54Крутизна характеристики, S0.8Корпусto220abПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5

Транзистор IRFBE20PBF: надежный элемент для электроники

Технические характеристики:

Тип: полевой транзистор

Типоразмер: N-канальный

Напряжение: 800 В

Ток: 1.8 А

Применение: идеально подходит для использования в электронных устройствах

Описание товара:

Транзистор IRFBE20PBF - это надежный элемент, который обеспечивает стабильную работу вашей электроники. С его помощью можно создавать или восстанавливать различные устройства с высоким напряжением и током. Компактный и легкий, этот транзистор легко монтируется на плату и обеспечивает эффективную работу устройств.