Описание IRFB9N65APBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В650Максимальный ток сток-исток при 25 С  Iси макс..А9.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.93 ом при 5.1a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт167Крутизна характеристики, S3.9Корпусto220abПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5
                        Транзистор полевой IRFB9N65APBF
Мощный и надежный
IRFB9N65APBF - это N-канальный полевой транзистор, способный выдерживать напряжение до 650 В и ток до 8.5 А. Обеспечивает мощность до 167 Вт, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств.
Этот транзистор обладает высокой производительностью и эффективностью, обеспечивая стабильную работу вашего оборудования.
IRFB9N65APBF - отличный выбор для профессиональных проектов и ремонта электроники.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.67 г. | 
| Входная емкость | 1417пФ | 
| Заряд затвора | 48нКл | 
| Мощность макс. | 167Вт | 
| Напряжение исток-сток макс. | 650В | 
| Нормоупаковка | 50 шт | 
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В | 
| Сопротивление открытого канала | 930 мОм | 
| Тип монтажа | Through Hole | 
| Тип транзистора | N-канал | 
| Ток стока макс. | 8.5A | 
| Корпус | TO-220AB | 
| Тип упаковки | Tube (туба) | 
- Производитель: Electrony
 - Код товара: 8953f328
 - Доступность: В наличие
 - Артикул: IRFB9N65APBF
 
- 
              
рассчитывается индивидуально
 
          
        