Описание IRFB9N65APBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В650Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.93 ом при 5.1a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт167Крутизна характеристики, S3.9Корпусto220abПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5
Транзистор полевой IRFB9N65APBF
Мощный и надежный
IRFB9N65APBF - это N-канальный полевой транзистор, способный выдерживать напряжение до 650 В и ток до 8.5 А. Обеспечивает мощность до 167 Вт, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств.
Этот транзистор обладает высокой производительностью и эффективностью, обеспечивая стабильную работу вашего оборудования.
IRFB9N65APBF - отличный выбор для профессиональных проектов и ремонта электроники.
Характеристики | |
Вес брутто | 2.67 г. |
Входная емкость | 1417пФ |
Заряд затвора | 48нКл |
Мощность макс. | 167Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 650В |
Нормоупаковка | 50 шт |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Сопротивление открытого канала | 930 мОм |
Тип монтажа | Through Hole |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 8.5A |
Корпус | TO-220AB |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 8953f328
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFB9N65APBF
-
рассчитывается индивидуально