Описание IRFB9N60APBF
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В600Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.75 ом при 5.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт170Крутизна характеристики, S5.5Корпусto220abПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5
Транзистор IRFB9N60APBF
Описание товара:
Транзистор IRFB9N60APBF - это высококачественный N-канальный полевой транзистор, который обладает следующими характеристиками:
- Напряжение: 600 В
- Ток: 9.2 А
- Мощность: 170 Вт
Этот транзистор идеально подходит для использования в различных электронных устройствах и цепях, где требуется надежное и эффективное управление электрическим током.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.9 г. |
| Входная емкость | 1400пФ |
| Заряд затвора | 49нКл |
| Мощность макс. | 170Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 750 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 9.2A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 164da658
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFB9N60APBF
-
рассчитывается индивидуально

