IRFB5620PBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 25А 144Вт

Описание IRFB5620PBF The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application. • Low RDS (ON) for improved efficiency • Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency • Low QRR for better THD and lower EMI Структураn-каналСопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0725 ом при 15a, 10вВес, г2.5

Транзистор IRFB5620PBF

Н-канальный полевой транзистор для высоковольтных приложений

Напряжение: 200В

Ток: 25А

Мощность: 144Вт

Транзистор IRFB5620PBF предназначен для использования в различных электронных устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность. Он обладает высокими рабочими характеристиками, что делает его отличным выбором для профессиональных проектов.