IRFB4310ZPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 120А 250Вт

Описание IRFB4310ZPBF The IRFB4310ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits. • Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А127Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.007 ом при 75a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт250Крутизна характеристики, S150Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5

Транзистор IRFB4310ZPBF

Описание:

Тип: Полевой транзистор

Полярность: N-канальный

Напряжение: 100 В

Ток: 120 А

Мощность: 250 Вт

Транзистор IRFB4310ZPBF является надежным элементом для использования в различных электронных устройствах, обладает высокой производительностью и долговечностью. Идеально подходит для разработки и модернизации силовых электрических схем.