IRFB31N20DPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 31A

Описание IRFB31N20DPBF MOSFET, N, 200V, 31A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 200V Current, Id Cont 31A Resistance, Rds On 0.082ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 5.5V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 124A No. of Pins 3 Power Dissipation 200W Power, Pd 200W Thermal Resistance, Junction to Case A 0.75°C/W Voltage, Vds Max 200V Voltage, Vgs th Max 5.5V Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 31 А, Сопротивление открытого канала (мин) 82 мОм Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А31Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.082 ом при 18a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200Крутизна характеристики, S1.7Корпусto220abВес, г2.5

Транзистор полевой IRFB31N20DPBF

Мощный и надежный N-канальный транзистор

Высоковольтный транзистор IRFB31N20DPBF предназначен для работы в электронных устройствах, где требуется высокая электрическая мощность. Способен выдерживать напряжение до 200В и ток до 31A, обеспечивая стабильную работу вашего устройства.

Особенности:

• Высокие технические характеристики
• Надежное качество
• Простота в установке и подключении

Закажите транзистор IRFB31N20DPBF прямо сейчас и обеспечьте эффективную работу вашего устройства!