Описание IRFB20N50KPBF
The IRFB20N50KPBF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Simple drive requirements
• Low RDS (ON)
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.25 ом при 12a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт280Крутизна характеристики, S11Корпусto220abПороговое напряжение на затворе5Вес, г2.5
Транзистор полевой IRFB20N50KPBF
Мощность: 280 Вт
Напряжение: 500 В
Ток: 20 А
Тип: N-канальный
Отличный выбор для электроники и автомобильных схем.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.9 г. |
| Входная емкость | 2870пФ |
| Заряд затвора | 110нКл |
| Мощность макс. | 280Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Сопротивление открытого канала | 250 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 20A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 1839ff77
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRFB20N50KPBF
-
рассчитывается индивидуально
