IRFB11N50APBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 11А 170Вт

Описание IRFB11N50APBF N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В30Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.52 ом при 6.6a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт170Крутизна характеристики, S6.1Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5

Транзистор полевой IRFB11N50APBF

Мощный транзистор для усиления и коммутации сигналов, обладающий высокими техническими характеристиками.

Особенности:

• Тип: N-канальный
• Напряжение: 500В
• Ток: 11А
• Мощность: 170Вт

Применение:

Идеально подходит для использования в силовых устройствах, источниках питания, преобразователях и других электронных устройствах, где требуется высокая производительность.

Приобретайте транзистор IRFB11N50APBF и обеспечьте надежное и эффективное функционирование ваших устройств!