IRF9530NSPBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 14А 79Вт, 0.2 Ом

Описание IRF9530NSPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-14Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.2 ом при-8.4a, -10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.8Крутизна характеристики, S3.2Корпусd2pakПороговое напряжение на затворе-2…-4Вес, г2.5

Транзистор IRF9530NSPBF для вашего проекта

Описание товара:

Тип: П-канальный транзистор

Напряжение: 100В

Ток: 14А

Мощность: 79Вт

Сопротивление: 0.2 Ом

IRF9530NSPBF - надежный транзистор для работы в различных схемах