IRF840PBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 8А 125Вт, 0.85 Ом

Описание IRF840PBF IRF840PBF является N-канальным HEXFET® силовым МОП-транзистором 400В третьего поколения, который обеспечивает разработчика лучшим сочетанием быстрого переключения, прочностью исполнения и низкого сопротивления в активном состоянии. Корпус универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности до 50Вт. • Динамический dV/dt • Повторяющиеся лавинные характеристики • Рабочая температура 175°C • Простое параллельное подключение • Требования простого привода Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.85 ом при 4.8a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт125Крутизна характеристики, S4.9Корпусto220abПороговое напряжение на затворе4Вес, г2.5

Транзистор полевой IRF840PBF

Мощный и надежный компонент для вашего проекта

IRF840PBF - это N-канальный полевой транзистор, способный выдерживать напряжение до 500 В и ток до 8 А. Этот транзистор обладает мощностью до 125 Вт и имеет низкое сопротивление 0.85 Ом.

Характеристики:

• Напряжение: 500 В
• Ток: 8 А
• Мощность: 125 Вт
• Сопротивление: 0.85 Ом

IRF840PBF идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, от блоков питания до усилителей мощности.