Описание IRF820PBF
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В500Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.5Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3 ом при 1.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50Крутизна характеристики, S1.5Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5
Транзистор полевой IRF820PBF
Описание товара:
IRF820PBF - это N-канальный транзистор, способный выдерживать напряжение до 500 Вольт, ток до 2.5 Ампер и мощность до 50 Ватт. Его внутреннее сопротивление составляет 3 Ома.
Преимущества:
IRF820PBF отличается высокой надежностью и эффективностью в работе, идеально подходит для использования в различных электронных устройствах.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.7 г. |
| Входная емкость | 360пФ |
| Заряд затвора | 24нКл |
| Мощность макс. | 50Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 3 Ом |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 2.5A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 14ab3610
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRF820PBF
-
рассчитывается индивидуально
