Описание IRF7842TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 40 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 5 мОм
Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока18 АТип корпусаSOICМаксимальное рассеяние мощности2,5 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина4ммВысота1.5ммРазмеры5 x 4 x 1.5ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения14 nsПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения21 nsСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage2.25VMinimum Gate Threshold Voltage1.35VМаксимальное сопротивление сток-исток5.9 m?Максимальное напряжение сток-исток-40 ВЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs33 nC @ 4.5 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds4500 пФ при 20 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.15
Транзистор IRF7842TRPBF
Описание товара:
Тип: полевой N-канальный
Напряжение: 40В
Ток: 18А
Мощность: 2.5Вт
Транзистор IRF7842TRPBF обладает высокой производительностью и надежностью. Идеально подходит для использования в различных электронных устройствах.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.14 г. |
| Входная емкость | 4500пФ |
| Заряд затвора | 50нКл |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 40В |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.25В |
| Сопротивление открытого канала | 5 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 18A |
| Корпус | SOIC8 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
