Описание IRF7832TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 20 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4 мОм
Максимальная рабочая температура+155 °CМаксимальный непрерывный ток стока20 АТип корпусаSOICМаксимальное рассеяние мощности2,5 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина4ммВысота1.5ммРазмеры5 x 4 x 1.5ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения12 нсПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения21 nsСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage2.32VMinimum Gate Threshold Voltage1.39VМаксимальное сопротивление сток-исток4,8 м?Максимальное напряжение сток-исток30 VЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs34 нКл при 4,5 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds4310 пФ при 15 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.15
Транзистор IRF7832TRPBF
Высококачественный N-канальный полевой транзистор для вашего проекта
Характеристики:
Напряжение: 30В
Ток: 20A
Применение: идеально подходит для различных электронных устройств
Надежность: гарантирует стабильную работу вашего оборудования
Производитель: IRF7832TRPBF
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.14 г. |
| Входная емкость | 4310пФ |
| Заряд затвора | 51нКл |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.32В |
| Сопротивление открытого канала | 4 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 20A |
| Корпус | SO-8 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
