IRF7493TRPBF, Транзистор полевой N-канальный 80В 9.3A

Описание IRF7493TRPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока9,3 AТип корпусаSOICМаксимальное рассеяние мощности2,5 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина4ммПрямая активная межэлектродная проводимость13SВысота1.5ммРазмеры5 x 4 x 1.5ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения8,3 нсПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения30 нсСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage4VMinimum Gate Threshold Voltage2VМаксимальное сопротивление сток-исток15 м?Максимальное напряжение сток-исток80 VЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs35 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1510 pF @ 25 VТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВПрямое напряжение диода1.3VВес, г0.15