Описание IRF7413TRPBF
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11 мОм
Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока13 AТип корпусаSOICМаксимальное рассеяние мощности2,5 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина4ммВысота1.5ммРазмеры5 x 4 x 1.5ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения8,6 нсПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения52 nsСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage3VMinimum Gate Threshold Voltage1VМаксимальное сопротивление сток-исток18 m?Максимальное напряжение сток-исток30 VЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs52 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1800 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.15
Транзистор IRF7413TRPBF
Высококачественный N-канальный транзистор
Характеристики:
Напряжение: 30В
Ток: 13А
Мощность: 2.5Вт
Идеальное решение для создания электронных устройств с высокой производительностью и надежностью.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.23 г. |
| Входная емкость | 1800пФ |
| Заряд затвора | 79нКл |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 30В |
| Нормоупаковка | 4000 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 3В |
| Сопротивление открытого канала | 11 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 13A |
| Корпус | SOIC8 |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
