IRF7410TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 12В 16A

Описание IRF7410TRPBF P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока16 AТип корпусаSOICМаксимальное рассеяние мощности2,5 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина4ммВысота1.5ммРазмеры5 x 4 x 1.5ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения13 nsПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения271 нсСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage0.9VMinimum Gate Threshold Voltage0.4VМаксимальное сопротивление сток-исток13 m?Максимальное напряжение сток-исток12 ВЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs91 нКл при 4,5 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds8676 pF @ -10 VТип каналаPМаксимальное напряжение затвор-исток-8 В, +8 ВВес, г0.15

Транзистор полевой IRF7410TRPBF

Описание:

Представляем вам транзистор полевой P-канальный IRF7410TRPBF. Этот транзистор обладает высокой надежностью и эффективностью.

Характеристики:

Модель: IRF7410TRPBF

Напряжение: 12В

Ток: 16А

Применение:

Идеально подходит для использования в электронике, автомобильном оборудовании, аудио усилителях и других устройствах, где требуется стабильная работа и высокая производительность.

Необходимый компонент для вашего проекта!