IRF640NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 18А 150Вт

Описание IRF640NSTRLPBF MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current, Id: 18A; Package/Case: D2-PAK; Power Dissipation, Pd: 150W; Continuous Drain Current - 100 Deg C: 13A; Drain Source On Resistance @ 10V: 150mohm Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 150 мОм Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А18Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.15 ом при 11a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт150Крутизна характеристики, S6.8Корпусd2pakВес, г2.5

Транзистор IRF640NSTRLPBF: мощный и надежный элемент для вашего устройства

Характеристики:

Тип: N-канальный

Напряжение: 200 В

Ток: 18 А

Мощность: 150 Вт

Описание товара:

Транзистор IRF640NSTRLPBF обеспечит стабную работу вашего устройства благодаря своим высоким техническим характеристикам. Идеальный выбор для электронных проектов и ремонта техники.