IRF630NSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 9.3А 82Вт

Описание IRF630NSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Maximum Operating Temperature+175 °CNumber of Elements per Chip1Length10.67mmTransistor ConfigurationSingleBrandInfineonMaximum Continuous Drain Current9.3 APackage TypeD2PAK (TO-263)Maximum Power Dissipation82 WSeriesHEXFETMounting TypeSurface MountMinimum Operating Temperature-55 °CWidth11.3mmMaximum Gate Threshold Voltage4VHeight4.83mmMinimum Gate Threshold Voltage2VMaximum Drain Source Resistance300 m?Maximum Drain Source Voltage200 VPin Count3Typical Gate Charge @ Vgs35 nC @ 10 VTransistor MaterialSiChannel ModeEnhancementChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VForward Diode Voltage1.3VВес, г2.5

Транзистор полевой N-канальный IRF630NSTRLPBF

Характеристики:

Напряжение: 200В

Ток: 9.3А

Мощность: 82Вт

Описание:

IRF630NSTRLPBF - это N-канальный полевой транзистор, который обладает высокими характеристиками напряжения, тока и мощности. Этот транзистор идеально подходит для широкого спектра электронных устройств, от схем усилителей до источников питания. Благодаря своей надежности и эффективности, IRF630NSTRLPBF пользуется популярностью среди профессиональных разработчиков и инженеров.