Описание IRF630
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.4 ом при 4.5a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт74Крутизна характеристики, S3.8Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5
Транзистор полевой IRF630 для электроники
Технические характеристики:
Напряжение: 200В
Ток: 9А
Мощность: 74Вт
Сопротивление: 0.4 Ом
Отличное качество и надежность, подходит для различных электронных устройств.
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Входная емкость | 700пФ |
| Заряд затвора | 45нКл |
| Мощность макс. | 75Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 200В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Сопротивление открытого канала | 400 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 9A |
| Корпус | TO-220AB |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
