IRF6216TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 150В 2.2A

Описание IRF6216TRPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока2,2 АТип корпусаSOICМаксимальное рассеяние мощности2,5 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина4ммВысота1.5ммРазмеры5 x 4 x 1.5ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения18 нсПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения33 nsСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage5Minimum Gate Threshold Voltage3VМаксимальное сопротивление сток-исток240 м?Максимальное напряжение сток-исток150 ВЧисло контактов8КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs33 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1280 пФ при -25 ВТип каналаA, PМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.15