IRF620PBF, Транзистор полевой N-канальный 200В 5.2А 50Вт, 0.8 Ом

Описание IRF620PBF The IRF620PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Ease of paralleling • Simple drive requirements Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.2Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.8 ом при 3.1a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт40Крутизна характеристики, S1.5Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5

Транзистор полевой IRF620PBF

Отличный выбор для вашего проекта!

Характеристики:

Напряжение: 200 В

Ток: 5.2 А

Мощность: 50 Вт

Сопротивление: 0.8 Ом

Этот транзистор обладает высокой производительностью и надежностью. Идеально подходит для различных электронных устройств и схем. Приобретайте IRF620PBF и достигайте новых высот в своем творчестве!