Описание IRF610PBF
The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С  Iси макс..А3.3Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 ом при 2a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36Крутизна характеристики, S0.8Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5
                        | Характеристики | |
| Вес брутто | 3.5 г. | 
| Напряжение исток-сток макс. | 200В | 
| Нормоупаковка | 50 шт | 
| Тип транзистора | N-канал | 
| Ток стока макс. | 3.3A | 
| Корпус | TO-220AB | 
| Тип упаковки | Tube (туба) | 
- Производитель: Electrony
 - Код товара: 7e50d200
 - Доступность: В наличие
 - Артикул: IRF610PBF
 
- 
              
рассчитывается индивидуально
 
          
        