Описание IRF610PBF
The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Fast switching
• Easy to parallel
• Simple drive requirement
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.3Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 ом при 2a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36Крутизна характеристики, S0.8Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5
Характеристики | |
Вес брутто | 3.5 г. |
Напряжение исток-сток макс. | 200В |
Нормоупаковка | 50 шт |
Тип транзистора | N-канал |
Ток стока макс. | 3.3A |
Корпус | TO-220AB |
Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 7e50d200
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRF610PBF
-
рассчитывается индивидуально