IRF610PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.3 А, 36W

Описание IRF610PBF The IRF610PBF is a 200V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W. • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Fast switching • Easy to parallel • Simple drive requirement Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В200Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.3Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 ом при 2a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт36Крутизна характеристики, S0.8Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5

IRF610PBF: Полевой транзистор для высоковольтных приложений

Характеристики:

Тип: N-канальный транзистор

Напряжение: 200 В

Ток: 3.3 А

Мощность: 36W

Описание:

IRF610PBF - это полевой транзистор, предназначенный для использования в высоковольтных цепях. Он отличается высокой мощностью и надежностью работы. Этот транзистор обеспечивает стабильную работу устройства при высоких нагрузках и обладает длительным сроком службы. Идеальный выбор для различных электронных проектов, где требуется работа с высоким напряжением.