IRF5305STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный 55В 31А 110Вт

Описание IRF5305STRLPBF P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Максимальная рабочая температура+175 °CМаксимальный непрерывный ток стока31 AТип корпусаD2PAK (TO-263)Максимальное рассеяние мощности110 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина9.65ммВысота4.83ммРазмеры10.67 x 9.65 x 4.83ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина10.67ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения14 nsПроизводительInfineonТипичное время задержки выключения39 нсСерияHEXFETМинимальная рабочая температура-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage4VMinimum Gate Threshold Voltage2VМаксимальное сопротивление сток-исток60 МОмМаксимальное напряжение сток-исток55 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs63 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1200 pF @ -25 VТип каналаA, PМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г2.5

Транзистор полевой P-канальный IRF5305STRLPBF

Характеристики:

Напряжение: 55В

Ток: 31А

Мощность: 110Вт

Описание: Транзистор IRF5305STRLPBF предназначен для использования в электронных устройствах, где требуется высокая надёжность и эффективность. Идеально подходит для управления мощными нагрузками.

Необходимый элемент для создания качественных и устойчивых электрических схем.