IRF5210STRLPBF, Транзистор полевой P-канальный 100В 38A

Описание IRF5210STRLPBF P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-40Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.06 ом при-38a, -10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200Крутизна характеристики, S10Корпусd2pakВес, г2.5

Транзистор IRF5210STRLPBF

Описание:

IRF5210STRLPBF - это полевой P-канальный транзистор с напряжением до 100В и током до 38A. Этот транзистор идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, таких как усилители мощности, блоки питания, и другие устройства, где требуется эффективное управление током.

Характеристики:

Напряжение: 100В

Ток: 38A

Тип: Полевой P-канальный

Модель: IRF5210STRLPBF

Преимущества:

IRF5210STRLPBF обладает высокой надежностью, эффективностью и долгим сроком службы, что делает его отличным выбором для вашего проекта.