Описание IRF4905STRLPBF
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Структураp-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В-55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А-74Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.02 ом при-38a, -10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200Крутизна характеристики, S21Корпусd2pakВес, г2.5
Полевой транзистор IRF4905STRLPBF
Характеристики:
Тип: P-канальный
Напряжение: 55В
Ток: 42А
Мощность: 170Вт
Производитель: IRF
Модель: IRF4905STRLPBF
Описание:
Полевой транзистор IRF4905STRLPBF предназначен для использования в электронных устройствах, где необходимо коммутирование больших токов и высоких напряжений. Благодаря своим характеристикам обладает высокой мощностью и надежностью в работе.
Характеристики | |
Вес брутто | 2.23 г. |
Входная емкость | 3500пФ |
Заряд затвора | 180нКл |
Мощность макс. | 170Вт |
Напряжение исток-сток макс. | 55В |
Нормоупаковка | 800 шт |
Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
Сопротивление открытого канала | 20 мОм |
Тип монтажа | Surface Mount |
Тип транзистора | P-канал |
Ток стока макс. | 42A |
Корпус | D2PAK/TO263 |
Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: 6991ecb3
- Доступность: В наличие
- Артикул: IRF4905STRLPBF
-
89.63 р.