IRF3808STRLPBF, Транзистор полевой N-канал 75В/106А/200Вт/0.007 Ом

Описание IRF3808STRLPBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В75Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А106Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.007 ом при 82a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200Крутизна характеристики, S100Корпусd2pakВес, г2.5