IRF3808PBF, Транзистор полевой N-канальный 75В 140А 340Вт

Описание IRF3808PBF N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В75Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А140Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.007 ом при 82a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт340Крутизна характеристики, S100Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2…4Вес, г2.5

Транзистор IRF3808PBF: надежный элемент для вашего проекта

Представляем вам полевой транзистор IRF3808PBF, который обеспечит высокую производительность и надежность вашего устройства. Этот N-канальный транзистор имеет номинальное напряжение 75В, ток до 140А и мощность до 340Вт.

Особенности товара:

Высокая мощность: благодаря возможности выдерживать до 140А, этот транзистор подойдет для различных схем с высокой энергозатратой.

Надежность: IRF3808PBF изготовлен из качественных материалов и прошел строгий контроль качества, что гарантирует его долгий срок службы.

Универсальность: этот транзистор подойдет для широкого спектра применений, от электронных устройств до силовой электроники.

Не откладывайте свой проект на потом, приобретите транзистор IRF3808PBF уже сегодня и добейтесь высоких результатов!