IRF1010ZSTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 55В 75A

Описание IRF1010ZSTRLPBF N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency. Maximum Operating Temperature+175 °CMaximum Continuous Drain Current94 APackage TypeD2PAK (TO-263)Maximum Power Dissipation140 WMounting TypeSurface MountWidth11.3mmForward Transconductance33sHeight4.83mmDimensions10.67 x 11.3 x 4.83mmTransistor MaterialSiNumber of Elements per Chip1Length10.67mmTransistor ConfigurationSingleTypical Turn-On Delay Time18 nsBrandInfineonTypical Turn-Off Delay Time36 nsSeriesHEXFETMinimum Operating Temperature-55 °CMaximum Gate Threshold Voltage4VMinimum Gate Threshold Voltage2VMaximum Drain Source Resistance7.5 m?Maximum Drain Source Voltage55 VPin Count3CategoryPower MOSFETTypical Gate Charge @ Vgs63 nC @ 10 VChannel ModeEnhancementTypical Input Capacitance @ Vds2840 pF @ 25 VChannel TypeNMaximum Gate Source Voltage-20 V, +20 VForward Diode Voltage1.3VВес, г2.5

Транзистор полевой IRF1010ZSTRLPBF

Надежный компонент для электроники

Представляем вам транзистор полевой N-канальный IRF1010ZSTRLPBF, который отличается высоким качеством и надежностью. С этим компонентом вы сможете построить эффективные электронные устройства.

Характеристики:

• Напряжение: 55В
• Ток: 75A
• Тип: N-канальный
• Модель: IRF1010ZSTRLPBF

Необходимый элемент для создания современных технологий. Покупайте качественные транзисторы у нас!