FQT4N20LTF, Транзистор полевой N-канальный 200В 0.85А 1.35 Ом

Описание FQT4N20LTF The FQT4N20LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts. • Low level gate drive requirements allowing direct operation from logic drives • 100% Avalanche tested • 4nC Typical low gate charge • 6pF Typical low Crss Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока850 мАТип корпусаSOT-223Максимальное рассеяние мощности2,2 ВтТип монтажаПоверхностный монтажШирина3.56ммВысота1.6ммРазмеры6.5 x 3.56 x 1.6ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина6.5ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения7 нсПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения15 нсСерияQFETМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage1VМаксимальное сопротивление сток-исток1,35 ОмМаксимальное напряжение сток-исток200 VЧисло контактов3+TabКатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs4 nC @ 5 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds240 пФ при -25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 ВВес, г0.39

Транзистор полевой N-канальный FQT4N20LTF

Описание товара

Характеристики:

Напряжение: 200В

Ток: 0.85А

Сопротивление: 1.35 Ом

Транзистор полевой N-канальный FQT4N20LTF предназначен для использования в различных электронных устройствах и цепях. Обладает высокой надежностью и эффективностью работы. Идеально подходит для монтажа на печатные платы и создания различных схем.

Приобретая этот транзистор, вы получаете качественный продукт, который прослужит вам долгое время и обеспечит стабильную работу вашего устройства.