FQPF3N80C, Транзистор полевой N-канальный 800В 1.8А 39Вт

Описание FQPF3N80C The FQPF3N80C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts. • Low gate charge (13nC) • Low Crss (5.5pF) • 100% avalanche tested Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока3 AТип корпусаTO-220FМаксимальное рассеяние мощности39 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияШирина4.7Высота9.19ммРазмеры10.16 x 4.7 x 9.19ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина10.16ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения15 нсПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения22,5 нсСерияQFETМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage3VМаксимальное сопротивление сток-исток4.8 ?Максимальное напряжение сток-исток800 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs13 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds543 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 VВес, г2

Транзистор полевой N-канальный FQPF3N80C

Описание:

Транзистор FQPF3N80C - это N-канальный полевой транзистор с параметрами: 800В, 1.8А и мощностью 39Вт. Этот транзистор идеально подходит для использования в электронных устройствах, где необходимо управление электрическим током высокого напряжения.

Характеристики:

Напряжение: 800В

Ток: 1.8А

Мощность: 39Вт

Тип: N-канальный

Модель: FQPF3N80C