FQP6N80C, Транзистор полевой N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт

Описание FQP6N80C The FQP6N80C is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts. • Low gate charge (21nC) • Low Crss (8pF) • 100% Avalanche tested Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока5.5 AТип корпусаTO-220ABМаксимальное рассеяние мощности158 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияШирина4.7Высота9.4ммРазмеры10.1 x 4.7 x 9.4ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина10.1ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения26 nsПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения47 nsСерияQFETМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage3VМаксимальное сопротивление сток-исток2.5 ?Максимальное напряжение сток-исток800 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs21 nC @ 10 VНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1010 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 VВес, г2.5

Транзистор FQP6N80C

Описание товара:

Транзистор полевой N-канальный FQP6N80C представляет собой элемент с максимальным напряжением 800В, током 5.5А и сопротивлением 2.5 Ом. Обладает мощностью до 158Вт, что делает его идеальным для использования в различных электронных устройствах.