FQP55N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А

Описание FQP55N10 QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control. They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices. Структураn-каналСопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.026 ом при 27.5a, 10в

Высококачественный полевой транзистор FQP55N10

Для максимальной эффективности вашей электроники

Этот N-канальный транзистор обладает надежной работой на высоком напряжении до 100 В и током до 55 А.

Особенности:

• Подходит для широкого спектра электронных устройств
• Гарантирует стабильную и безопасную работу
• Превосходное качество и долгий срок службы

Надежный выбор для вашего проекта!