FQP33N10, Транзистор полевой N-канальный 100В 33A

Описание FQP33N10 FQP33N10 является силовым N-канальным МОП-транзистором QFET® 100В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений. • Низкий заряд затвора • Лавинное тестирование 100% • Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации • Улучшение потерь коммутации • Lower conduction loss • 175°C Maximum junction temperature rating Максимальная рабочая температура+175 °CМаксимальный непрерывный ток стока33 АТип корпусаTO-220ABМаксимальное рассеяние мощности127 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияШирина4.83ммВысота9.4ммРазмеры10.67 x 4.83 x 9.4ммМатериал транзистораКремнийКоличество элементов на ИС1Длина10.67ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения15 нсПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения80 нсСерияQFETМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage2VМаксимальное сопротивление сток-исток52 м?Максимальное напряжение сток-исток100 ВЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs38 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds1150 пФ при 25 ВТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-25 В, +25 ВВес, г2.5

Транзистор FQP33N10

Тип: Полевой N-канальный

Напряжение: 100В

Ток: 33A

Описание:

Транзистор FQP33N10 - это мощный полевой N-канальный транзистор, способный работать при напряжении до 100В и токе до 33A. Он обладает высокой производительностью и надежностью, что делает его идеальным выбором для различных электронных устройств. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор подходит для широкого спектра применений, от усилителей мощности до источников питания.