Описание FQP30N06L
The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.
• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Low crss (typical 50pF)
• ±20V Gate-source voltage
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В60Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А32Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.035 ом при 16a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт79Крутизна характеристики, S24Корпусto220abПороговое напряжение на затворе2.5Вес, г2.5
| Характеристики | |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Входная емкость | 1040пФ |
| Заряд затвора | 20нКл |
| Мощность макс. | 79Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Нормоупаковка | 50 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2.5В |
| Сопротивление открытого канала | 35 мОм |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 32A |
| Корпус | TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: c2975f1b
- Доступность: В наличие
- Артикул: FQP30N06L
-
рассчитывается индивидуально
