FQP19N20C, Транзистор полевой N-канальный 200В 19А 139Вт

Описание FQP19N20C QFET® N-Channel MOSFET, 11A to 30A, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control. They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices. Максимальная рабочая температура+150 °CМаксимальный непрерывный ток стока19 АТип корпусаTO-220ABМаксимальное рассеяние мощности139 ВтТип монтажаМонтаж на плату в отверстияШирина4.7ммВысота9.4ммРазмеры10.1 x 4.7 x 9.4ммМатериал транзистораSIКоличество элементов на ИС1Длина10.1ммTransistor ConfigurationОдинарныйТипичное время задержки включения15 нсПроизводительON SemiconductorТипичное время задержки выключения135 nsСерияQFETМинимальная рабочая температура-55 °CMinimum Gate Threshold Voltage2VМаксимальное сопротивление сток-исток170 m?Максимальное напряжение сток-исток200 VЧисло контактов3КатегорияМощный МОП-транзисторТипичный заряд затвора при Vgs40,5 нКл при 10 ВНомер каналаПоднятиеТипичная входная емкость при Vds830 pF @ 25 VТип каналаNМаксимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 VВес, г2.5

Транзистор FQP19N20C

Описание:

Тип: N-канальный

Напряжение: 200В

Ток: 19А

Мощность: 139Вт

Транзистор FQP19N20C - это высококачественный полевой транзистор, обеспечивающий надежную работу в электронных устройствах. Он отличается высокой производительностью, надежностью и эффективностью.