Описание FQD19N10LTM
The FQD19N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
• 100% Avalanche tested
• 14nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss
Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В100Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15.6Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.1 ом при 7.8a, 10вМаксимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.5Крутизна характеристики, S14КорпусdpakВес, г0.4
Транзистор полевой N-канальный FQD19N10LTM
Описание:
Этот транзистор представляет собой N-канальный полевой транзистор с характеристиками 100В и 15.6A. Идеально подходит для использования в электронных устройствах и схемах.
Характеристики:
- Напряжение: 100В
- Ток: 15.6A
- Тип: N-канальный
- Модель: FQD19N10LTM
Обеспечивает надежную и эффективную работу вашей электроники!
| Характеристики | |
| Вес брутто | 0.47 г. |
| Входная емкость | 870пФ |
| Заряд затвора | 18нКл |
| Мощность макс. | 2.5Вт |
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
| Особенности | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
| Сопротивление открытого канала | 100 мОм |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип транзистора | N-канал |
| Ток стока макс. | 15.6A |
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
- Производитель: Electrony
- Код товара: ad84c87e
- Доступность: В наличие
- Артикул: FQD19N10LTM
-
рассчитывается индивидуально
